Para la fabricación de un CI/MOS de nitruro se realiza un "Sándwich" de nitruro y dióxido de silicio tal como se indica en la figura.

En efecto, él nitruro depositado directamente sobre la lamina ( wafer ) introduce cargas eléctricas no deseadas en las proximidades de la interface.

Este dispositivo presenta además una resistencia de canal reducida en relación con el MOS clásico y, por lo tanto, las constantes de tiempo se reducen y las frecuencias de trabajo aumentan.

Los primeros CI de nitruro de silicio fueron comercializados en 1969 por General Instrument con el nombre de MTNS ( "Metal - Thick – Oxide – Nitride – Silicon "), y posteriormente por GIANT ( "General Instrument Advanced Nitride Technologie " ).

La tensión de umbral no está únicamente determinada por el espesor del dieléctrico empleado. Otro factor a considerar es la naturaleza del graduador.

En efecto, el potencial de contacto o diferencia entre el trabajo de extracción de un electrón del graduador y del sustrato toma un valor f que influye sobre la tensión de umbral Vth.

FABRICACION DE UN MOS CON GRADUADOR DEL SILICIO 

La figura muestra el método de fabricación de un MOS con graduador de silicio según la técnica desarrollada por Fairchild en 1967.

Se parte de un sustrato semiconductor de tipo N sobre el que se deposita una capa gruesa de óxido. Una primera operación de fotograbado abre tantas ventanas como transistores a producir y produce una capa de óxido delgada en esta zona.

A continuación se procede a recubrir toda la superficie de la lamina con una capa de silicio policristalino.

Una nueva operación de fotograbado delimita las zonas del surtidor y del drenador y eventualmente, un primer plano de interconexiones. La capa estrecha de óxido y el silicio policristalino se eliminan excepto en el lugar del graduador, así se delimita con claridad la región de difusión del boro que puede ser efectuada sin más.

Se obtiene una diferencia importante en relación con el proceso clásico; la figura muestra la superposición del graduador de aluminio sobre el drenador y el surtidor desaparece con la presente tecnología. Por ello las capacidades parásitas se reducen notablemente.

La difusión de boro, que se efectúa rápidamente en el silicio sin apenas modificar la capa de óxido, sirve para crear el surtidor y el drenador y también para dopar fuertemente el graduador a fin de que aquellas tenga una resistividad del orden de 1 W .cm. Esta es la única operación de difusión del proceso.

Se procede a una nueva oxidación y a la tercera apertura de ventanas para preparar las tomas del drenador y del surtidor.

Se deposita una capa de aluminio sobre toda la superficie de la lámina y la cuata y última operación de fotograbado sirve para dejar sólo el aluminio en las zonas precisas para crear el segundo plano de interconexiones.