Para la fabricación de un Circuito Integrado MOS ( con elementos de canal N de enriquecimiento ) se utiliza un sustrato de Silicio de tipo N.

La figura indica la secuencia de operaciones. El proceso completo se describe:

1.- Oxidación completa de la superficie del sustrato mediante una capa de 120 milimicras de espesor.

2.- Primera operación de fotograbado para crear las zonas del surtidor y del drenador.

3.- Realización del surtidor y del drenador por difusión de elementos impurificantes de tipo P.

4.- Nueva oxidación de la superficie obtenida. Creación de una capa de óxido de 1,4 micras de espesor.

5.- Nueva operación de fotograbado para crear el graduador y las tomas del surtidor y del ordenador. Eliminación de la capa de óxido hasta formar el dieléctrico del graduador 0.1 o 0.2 micras de espesor.

6.- Ultima operación de fotograbado para liberar las zonas que deben analizarse.

El proceso descrito se puso a punto en 1965 por General Instrument para comercializar productos con la sigla MTOS (Metal Thick Oxide Silicon ", es decir, metal, óxido espeso, silicio ).

La comparación del proceso con el seguido en la fabricación de circuitos bipolares permite establecer que:

1.  
2. No es preciso crear recintos aislantes que ocupan aproximadamente el 30% de la superficie del sustrato en tecnología bipolar.
3.  
4. No se precisa la creación de depósito epitaxiales.
5.  
6. No se precisa más que de una sola operación de difusión ( en tecnología bipolar se precisan por lo menos 4 ).

La fabricación de dos MOS dispuestos contiguamente sobre un mismo sustrato puede originar la aparición de un MOS parasito entre ambos.

En efecto, el drenador 1 y el surtidor 2 se solapan con una capa de óxido muy gruesa. Sin embargo, para una tensión especificada, de las metalizaciones que la cubren, puede convertirse en un graduador parásito (tensión del orden de 20 – 30 volt).

En estas condiciones se origina un canal parásito y en consecuencia un MOS indeseado.

Se ha encontrado que para realizar un CI/MOS bastan 38 operaciones, de las cuales 2 se efectúan a elevada temperatura, mientras que un circuito bipolar análogo precisa 130 operaciones de las que 10 se efectúan a elevada temperatura. Las operaciones a altas temperaturas tienden a degradar las características de un CI.

La ganancia de un MOS depende esencialmente de su geometría y no de sus características de difusión. En técnicas bipolares la ganancia se determina por el nivel de dos dopados, y por tanto, depende de la difusión.

La realización de un MOS con dos electrodos de mando, el elemento recibe el nombre de MOS con doble graduador o tetrodo ( por sus cuatro electrodos: surtidor, drenador, graduador 1 y graduador 2).

El MOS tetrodo se utiliza frecuentemente en conexión cascodo ( por equivalencia con el circuito cascodo. En estas condiciones, por disminuir la capacidad de reacción se alcanzan frecuencias de trabajo muy elevadas.