Конструктивно ІС являє собою кристал з алюмінієвими виводами на поліімідній основі. Технологічний процес включає виготовлення гнучких носіїв методом двосторонньої фотолітографії, їхнє приєднання до стандартних кристалів ультразвуковою зваркою, герметизацію полімерними матеріалами з проведенням технологічних відбраковочних випробувань, в тому числі за необхідності й електротермотренування.

Можливе встановлення на плати, в металокерамічні, металоскляні корпуси та застосування в гібридних мікросхемах.

Забезпечується комплексна автоматизація операцій виготовлення носіїв, складання, вимірювання та монтажу ІС в апаратуру, в тому числі методами монтажу на поверхню пайкою або зваркою.

Конструкція задається фотошаблонами. Розробка здійснюється з використанням засобів проектування кристалів ІС.

Пропонований варіант технології проектування та виготовлення ІС є оптимальним, в тому числі й для багатономенклатурного виробництва з забезпеченням підвищення ступеню пакування елементної бази по площі більш ніж у 3 рази, по об'єму - більш ніж у 8 разів.