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TIPOS DE POLARIZACION DEL TRANSISTOR

 

EL TRANSISTOR BIPOLAR

El modelo más simple del transistor bipolar según PSPICE se representa en la figura 1. Consiste en una modificación del modelo de Ebers y Moll, más adecuada para el cálculo de circuitos. Se considera que, básicamente, un transistor es una fuente de corriente controlada por corriente. Las expresiones de IBE1 e IBC1 son controlada por corriente. Las expresiones de IBE1 e IBC1 son:

 

donde IS y BR son parámetros PSPICE

 

En polarización activa VBC es negativa y dado que IS es muy pequeña, se puede considerar despreciable el término IBC1, por lo que puede prescindirse de él. Ahora nos queda simplemente un diodo que representa a la entrada y una fuente de corriente ideal, cuyo valor es BF veces la corriente de la base. BF se conoce como ganancia en corriente y es el parámetro fundamental del transistor.

En el modelo ideal BF es constante e independiente del punto de operación. Sin embargo tanto las corrientes de recombinación en la base como el efecto de alta inyección hacen que el cociente IC/IB dependa de la corriente de colector. En otros textos es frecuente referirse a BF como hFE

Un efecto importante de modelar es el efecto Early, o modulación de la anchura de la base, por la que la corriente de colector no solamente depende de la tensión base emisor, sino también de la tensión colector emisor. PSPICE modela este efecto incluyendo un factor en la expresión de la corriente de colector quedando finalmente las expresiones de las corrientes: